Dispositivo láser semiconductor con puntos cuánticos para emisión en el cercano infrarrojo

José Vulfrano González-Fernández, Ramón Díaz de León-Zapata, Ismael Lara-Velázquez, Jorge Ortega-Gallegos

Abstract


En este trabajo se reporta la fabricación de un dispositivo láser de semiconductores III-V de confinamiento separado. La heteroestructura se creció usando la técnica de epitaxia por haces moleculares y se caracterizó óptica, topográfica y eléctricamente por medio de fotoluminiscencia, microscopia de tunelamiento, electroluminiscencia, relaciones de corriente-voltaje y corriente-potencia, respectivamente. El confinamiento electrónico es llevado a cabo por un emparedamiento del área activa con pozos cuánticos de InGaAs con una composición que permite un acople estructural entre el pozo cuántico y los puntos cuánticos autoensamblados de InAs disminuyendo las dislocaciones que darían lugar a una mala calidad del dispositivo. El objetivo es obtener una emisión láser en las ventanas de menor absorción de las fibras ópticas situadas en el cercano infrarrojo en las que se basan los sistemas de telecomunicación.


Keywords


Puntos cuánticos, Dispositivos semiconductores, Epitaxia por haces moleculares, Láser.

Full Text:

PDF


DOI: https://doi.org/10.31349/RevMexFis.65.43

Refbacks

  • There are currently no refbacks.


Revista Mexicana de Física

ISSN: 0035-001X

Bimonthly publication of Sociedad Mexicana de Física, A.C.
Departamento de Física, 2o. Piso, Facultad de Ciencias, UNAM.
Circuito Exterior s/n, Ciudad Universitaria. C. P. 04510 Ciudad de México.
Apartado Postal 70-348, Coyoacán, 04511 Ciudad de México.
Tel/Fax: (52-55) 5622-4946, (52-55) 5622-4840. rmf@ciencias.unam.mx