Dispositivo láser semiconductor con puntos cuánticos para emisión en el cercano infrarrojo

José Vulfrano González-Fernández, Ramón Díaz de León-Zapata, Ismael Lara-Velázquez, Jorge Ortega-Gallegos

Abstract


En este trabajo se reporta la fabricación de un dispositivo láser de semiconductores III-V de confinamiento separado. La heteroestructura se creció usando la técnica de epitaxia por haces moleculares y se caracterizó óptica, topográfica y eléctricamente por medio de fotoluminiscencia, microscopia de tunelamiento, electroluminiscencia, relaciones de corriente-voltaje y corriente-potencia, respectivamente. El confinamiento electrónico es llevado a cabo por un emparedamiento del área activa con pozos cuánticos de InGaAs con una composición que permite un acople estructural entre el pozo cuántico y los puntos cuánticos autoensamblados de InAs disminuyendo las dislocaciones que darían lugar a una mala calidad del dispositivo. El objetivo es obtener una emisión láser en las ventanas de menor absorción de las fibras ópticas situadas en el cercano infrarrojo en las que se basan los sistemas de telecomunicación.


Keywords


Puntos cuánticos, Dispositivos semiconductores, Epitaxia por haces moleculares, Láser.

Full Text:

PDF


DOI: https://doi.org/10.31349/RevMexFis.65.43

Refbacks

  • There are currently no refbacks.


REVISTA MEXICANA DE FÍSICA, year 67, issue 2, March-April 2021. Bimonthly Journal published by Sociedad Mexicana de Física, A. C. Departamento de Física, 2º Piso, Facultad de Ciencias, Universidad Nacional Autónoma de México, Ciudad Universitaria, Alcaldía Coyacán, C.P. 04510 , Ciudad de México. Apartado Postal 70-348. Tel. (+52)55-5622-4946, https://rmf.smf.mx/ojs/rmf, e-mail: rmf@ciencias.unam.mx. Chief Editor: José Alejandro Ayala Mercado. INDAUTOR Certificate of Reserve: 04-2019-080216404400-203, ISSN: 2683-2224 (on line), 0035-001X (print), both granted by Instituto Nacional del Derecho de Autor. Responsible for the last update of this issue, Technical Staff of Sociedad Mexicana de Física, A. C., Fís. Efraín Garrido Román, 2º. Piso, Facultad de Ciencias, Universidad Nacional Autónoma de México, Ciudad Universitaria, Alcaldía Coyacán, C.P. 04510 , Ciudad de México. Date of last modification, March 1st., 2021.

The responsibility of the materials published in Revista Mexicana de Física rests solely with their authors and their content does not necessarily reflect the criteria of the Editorial Committee or the Sociedad Mexicana de Física. The total or partial reproduction of the texts hereby published is authorized as long as the complete source and the electronic address of the publications are cited.

There is no fee for article processing, submission or publication.

Revista Mexicana de Física by Sociedad Mexicana de Física, A. C. is distributed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License