Campos cercano y lejano de estructuras láser de AlGaAs con capas adicionales en la cavidad óptica obtenidas por epitaxia en fase líquida a bajas temperaturas

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• A.V. Ilinskii, F. Chávez, T.A. Prutskij, ., F. Silva-Andrade, An optical method for determining the ionization energy of the centers controlling charge transfer in GaAs-based pin-structures , Revista Mexicana de Física: Vol. 41 No. 6 (1994): Revista Mexicana de Física.
• E. Gómez, R. Silva, ., F. Silva-Andrade, SEM and EDS characterization of GaAs layers grown by the close-spaced vapor transport technique at four different geometries using atomic hydrogen as initial reactant , Revista Mexicana de Física: Vol. 43 No. 2 (1996): Revista Mexicana de Física.
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• M. Sánchez, J.C. González, E. Marín, P. Díaz, ., T.A. Prutskij, Temperature dependence of the threshold current for AlGaAs lasers grown by low temperature LPE , Revista Mexicana de Física: Vol. 41 No. 5 (1994): Revista Mexicana de Física.
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• T. Prutskij, R. Silva, F. Chávez, F. Silva-Andrade, Determinacion de Espesores de Capas Nonometricas en Heteroestructuras de GaAs-AlxGa1-xAs Mediante SEM , Revista Mexicana de Física: Vol. 41 No. 2 (1994): Revista Mexicana de Física.
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